AFM/KFM/SCFMによるSiパワーMOSFET断面構造のナノスケール観測

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-002

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Nanoscale observation of the silicon power-MOSFET by the AFM/KFM/SCFM system

著者名: 土井 敦史(千葉工業大学),中島 瑞貴(千葉工業大学),増田 翔(千葉工業大学),佐藤 宣夫(千葉工業大学),山本 秀和(千葉工業大学)

著者名(英語): Atsushi Doi(Chiba Institute of Technology),Mizuki Nakajima(Chiba Institute of Technology),Sho Masuda(Chiba Institute of Technology),Nobuo Satoh(Chiba Institute of Technology),Hidekazu Yamamoto(Chiba Institute of Technology)

キーワード: 走査型プローブ顕微鏡,パワー半導体デバイス,走査型容量原子間力顕微鏡法

要約(日本語): パワー半導体デバイスは，様々な用途における電力の変換・制御に用いられる．今後のデバイス開発では，デバイス動作を評価する技術の確立が肝心であることは議論を待たない．特に，高い空間分解能を有する走査型プローブ顕微鏡技術の進展に期待されている．本報告では，材料や構造を問わないパワー半導体デバイスにおけるナノスケール観測を可能とするSPM装置とその評価手法の確立を目指す．具体的には，市販のSiのスーパージャンクション構造のパワーMOSFETを切削・研磨することでデバイス断面を露出させ，電圧印加によるデバイス動作状態において，表面形状，表面電位，微分容量を同一領域．同時観測することによりデバイス評価について述べる．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 343 Kバイト