6.5kV耐圧SiC-MOSFETの出力特性モデリング

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-005

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Modeling of Output Characteristics for a 6.5-kV SiC-MOSFET

著者名: 滕 飛(東京工業大学),葛本 昌樹(東京工業大学),萩原 誠(東京工業大学),石井 佑季(三菱電機),中嶋 純一(三菱電機),椋木 康滋(三菱電機),堀口 剛司(三菱電機)

著者名(英語): Fei Teng(Tokyo Institute of Technology),Masaki Kuzumoto(Tokyo Institute of Technology),Makoto Hagiwara(Tokyo Institute of Technology),Yuki Ishii(Mitsubishi Electric Corp.),Jun-ichi Nakashima(Mitsubishi Electric Corp.),Yasushige Mukunoki(Mitsubishi Electric Corp.),Takeshi Horiguchi(Mitsubishi Electric Corp.)

キーワード: パワーデバイス,SiC-MOSFET,デバイスモデル,準物理出力特性モデル

要約(日本語): 近年, パワーデバイスの高性能化のニーズが増える中, 6.5kV耐圧フルSiC-MOSFETモジュールが開発された。本研究の目的は, このモジュールに搭載される6.5kV SiC-MOSFETの出力特性モデリングである。本研究では, MOSFETの出力特性の測定結果を利用し, 準物理出力特性モデルというモデリング手法を採用した。MOSFETの線形領域と飽和領域の出力特性をそれぞれ数式化し, 測定結果で数式の未知パラメータのフィッティングを行い, フィッティング精度を上げることを検討した。結果, 準物理出力特性モデルは測定結果を高精度に模擬できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 630 Kバイト