SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオード特性解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-008

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Investigation of Body Diode Characteristics of SiC Trench MOSFET

著者名: 金森 大河(筑波大学),饗場 塁士(筑波大学),大川 雅貴(筑波大学),原田 信介(産業技術総合研究所),矢野 裕司(筑波大学),岩室 憲幸(筑波大学)

著者名(英語): Taiga Kanamori(University of Tsukuba),Ruito Aiba(University of Tsukuba),Masataka Okawa(University of Tsukuba),Shinsuke Harada(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiroshi Yano(University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro(University of Tsukuba)

キーワード: SiC-トレンチMOSFET,スイッチング,内蔵ダイオード,逆回復電流

要約(日本語): 1.2kV耐圧SiCトレンチMOSFETであるIE-UMOSFETを用い、その内蔵ダイオード特性とターンオン特性の関係について解析した。結果として、SiCトレンチMOSFETはオン抵抗低減のためpベース層厚を薄く設計しているため、電流経路が3つに別れており、内蔵pinダイオードの正孔電流比率が抑制されているため、バイポーラ動作が抑えられ、順方向電圧Vfが大きくなると考えられる。その結果、そのターンオン特性は逆回復電流成分が低く抑えられターンオン損失の低減に寄与していることが判明した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 460 Kバイト