縦型GaN-MOSFETを用いた昇圧チョッパ回路の評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-009

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Evaluation of the Boost Chopper Circuit using Vertical GaN-MOSFET

著者名: 恩田 敬治(豊田合成)

著者名(英語): Keiji Onda(Electronics Engineering Division)

キーワード: 昇圧チョッパ,GaN,MOSFET,高周波,電力損失

要約(日本語): 【背景】近年、SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体の実用化が進められている。SiCやGaNは、Siと比較してスイッチング性能が良いので、スイッチング電源回路の高周波化や高効率化などの効果が期待できる。【内容】縦型GaN-MOSFETを用いた昇圧チョッパ回路の試作を行い、周波数500kHzでのスイッチング波形と電力損失をSiC-MOSFET用いた場合と比較した。【結果】縦型GaN-MOSFETはSiC-MOSFETと比べてスイッチング性能が良好であることを確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 303 Kバイト