SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-012

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Evaluation of Temperature Dependence of Turn-on Characteristics in SiC trench MOSFETs

著者名: 饗場 塁士(筑波大学),大川 雅貴(筑波大学),金森 大河(筑波大学),小林 勇介(産業技術総合研究所),原田 信介(産業技術総合研究所),矢野 裕司(筑波大学),岩室 憲幸(筑波大学)

著者名(英語): Ruito Aiba(University of Tsukuba),Masataka Okawa(University of Tsukuba),Taiga Kanamori(University of Tsukuba),Yusuke Kobayashi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Shinsuke Harada(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiroshi Yano(University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro(University of Tsukuba)

キーワード: SiC-MOSFET,順方向電圧劣化,SWITCH-MOS,内蔵ダイオード,ターンオン損失,逆回復電流

要約(日本語): 内蔵pinダイオードの順方向電圧劣化により素子の信頼性が低下してしまう問題を解決するため、SBD(Schottky Barrier Diode)を内蔵したSiCトレンチMOSFETであるSWITCH-MOSが提案された。本報告ではSWITCH-MOSならびにSiCトレンチMOSFET構造であるIE-UMOSFETのターンオン特性の温度依存性（25℃と175℃）を測定し、内蔵SBDのスイッチング特性に与える効果を確認した。その結果、25℃、175℃ともにSWITCH-MOSはIE-UMOSFETに比べターンオン損失を低減できていることが分かった。特に175℃においては、SWITCH-MOSはSBDを内蔵したことで逆回復電流を十分低く抑えられており、その結果IE-UMOSFETに比べ29.2%のターンオン損失低減を確認した。さらにSiCトレンチMOSFET構造に起因する内蔵ダイオード動作時の正孔電流抑制現象についても議論する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 616 Kバイト