6.5-kV, 400-A, SiC-MOSFET/SBDデュアルモジュールの熱量測定法によるターンオフ損失測定

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-013

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Turn-off Loss Measurement of a 6.5-kV, 400-A, SiC-MOSFET/SBD Dual Module by Calorimetry

著者名: 手崎 和明(東京工業大学),市川 耕作(東京工業大学),萩原 誠(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),大開 美子(三菱電機)

著者名(英語): Kazuaki Tesaki(Tokyo Institute of Technology),Kosaku Ichikawa(Tokyo Institute of Technology),Makoto Hagiwara(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Yoshiko Obiraki(Mitsubishi Electric Corp.)

キーワード: 6.5-kC, 400-A, SiC-MOSFET/SBDデュアルモジュール,熱量測定法,ダブルパルス試験,高電圧試験,出力容量

要約(日本語): 近年，高耐圧パワーモジュールの応用先としてDual Active Bridge変換器が期待されている。これは, ターンオン時に零電圧スイッチングを実現するため, スイッチング損失を低減できる。従来, パワーデバイスのスイッチング試験にはダブルパルス試験が実施される。これは，瞬時電圧・電流波形よりスイッチング損失を計算する点に特長がある。しかし, デバイス出力容量の影響によりターンオフ損失が実損失よりも大きくなるという問題がある。本論文では，熱量測定法を用いたターンオフ損失測定を検討する。これは，ターンオフ損失を平均的に算出する点に特長がある。直流電圧3.5 kV, スイッチング周波数 3 kHz，の条件下にて実験検証を行い，上記測定法の妥当性を確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 290 Kバイト