SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-014

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Investigation of gate leakage current and failure mechanism in short-circuit test of SiC MOSFET

著者名: 大川 雅貴(筑波大学),飯嶋 竜司(筑波大学),岡本 大(筑波大学),矢野 裕司(筑波大学),岩室 憲幸(筑波大学)

著者名(英語): Masataka Okawa(University of Tsukuba),Ryuji Iijima(University of Tsukuba),Dai Okamoto(University of Tsukuba),Hiroshi Yano(University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro(University of Tsukuba)

キーワード: SiC MOSFET,負荷短絡耐量,ゲート漏れ電流,テール電流,熱暴走

要約(日本語): プレーナーSiC MOSFETの負荷短絡試験における、デバイス破壊メカニズムとゲート漏れ電流の関係について評価解析を行った。負荷短絡試験において、SiC MOSFETでは短絡状態が続くことによるゲート漏れ電流の増加を確認した。特に、低印加電圧では熱暴走による破壊よりも先に、デバイス内温度上昇によるゲート漏れ電流が増加することにより素子破壊が引き起こるというSiC MOSFET特有の破壊メカニズムについて、ゲート漏れ電流の測定からその妥当性を確認した。また高印加電圧において、デバイス内温度上昇によるゲート漏れ電流の増加及びゲート酸化膜の絶縁性劣化の蓄積を確認した。

原稿種別: 日本語

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