高速GaNスイッチング回路の高精度プロービング検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-018

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): High voltage probing for dynamic characteristics measurement of SiC and GaN

著者名: 長浜 竜(岩崎通信機),髙木 茂行(東京工科大学)

著者名(英語): Ryu Nagahama(Iwatsu Electric Co., LTD),Shigeyuki Takagi(Tokyo University of Technology)

キーワード: GaN,差動測定,シングルプローブ,動的特性,波形歪み

要約(日本語): SiC、GaNデバイスは、数10nsから数nsの非常に速いトランジェント特性を持っている。従来の測定法では、正確な波形が得られない事が発生している。こうした例として、前回の報告では、主にシングルプローブについての測定について調べ、グランドリードの影響で大きなダンピングが現れること示した。また、等価回路を使ってシミュレーションを実施して波形のダンピングを検証し、改善策として差動プローブによる測定法を提案する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 486 Kバイト