並列接続したデバイスの電流アンバランスにDCバスの磁気的結合が与える影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-020

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Influence of magnetic coupling of DC bus on the current imbalance of the parallel connected devices

著者名: 石川 清太郎(筑波大学),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学)

著者名(英語): Seitaro Ishikawa(University of Tsukuba),Takanori Isobe(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(University of Tsukuba)

キーワード: SiC-MOSFET,並列接続,電流アンバランス,DCバス,磁気結合,SiC-SBD

要約(日本語): SiC-MOSFETを大電力アプリケーションに適用する場合，電流容量を増加させるために並列接続が必要である。その場合の課題として，電流アンバランス現象が挙げられる。この現象に関する検討はいくつか行われているが，主回路構造に着目した検討は行われていない。主回路全体の小型化に伴い，レグ部とDCバスを近接させる必要があり，並列接続部にDCバスが与える磁気的影響はより強くなると考えられる。本稿では，電流アンバランスにDCバスが与える影響を実験で検証した。その結果，並列接続部とDCバスの磁気的影響により，磁気結合が最も強い部分では電流アンバランス差が最大になり，結合が弱まると電流アンバランス差は小さくなることを確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 436 Kバイト