寄生インダクタンスにおけるターンオフ過渡応答時の直列接続SiC-MOSFET電圧バランス変化に関する一検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-023

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): A study on series connected of SiC-MOSFET voltage balance change for turn off motion by stray inductance

著者名: 角谷 龍河(大阪大学),中村 孝(大阪大学)

著者名(英語): ryuga Kadoya(Osaka University),Takashi Nakamura(Osaka University)

キーワード: SiC-MOSFET,直列接続,電圧バランス,寄生インダクタンス

要約(日本語): 医療用機器やX線発生器に用いられる高電圧パルス電源はSiC-MOSFETのような半導体スイッチングデバイスを複数個直列接続することで実現している。しかし，SiC-MOSFETを複数直列接続した場合，個々のデバイスの特性差や回路の寄生成分によってターンオフ過渡応答時に電圧が均等に分担されず，一部の素子に過剰な電圧がかかり素子破壊を招く問題がある。本研究では回路上の寄生インダクタンスに注目し，この値を変更することで直列接続したSiC-MOSFETの電圧バランスに変化が生じるかを実験により確認した。結果として寄生成分を増加させた場合，基準電位から高電位側に存在するデバイスのサージ電圧が増加し、より過剰な電圧がかかる結果となった。これより寄生インダクタンスが電圧バランスに大きく影響を及ぼしていることが分かった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 554 Kバイト