アクティブ駆動によるSiC-MOSFETのサージ電圧低減効果のゲート抵抗依存性に関する検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-027

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Gate Resistance Dependence of Surge Voltage by Active Gate Driving for SiC-MOSFETs

著者名: 長野 剛(富士電機),松原 邦夫(富士電機),田久保 拡(富士電機),鳥羽 章夫(富士電機)

著者名(英語): Tsuyoshi Nagano(Fuji Electric Co., LTD.),Kunio Matsubara(Fuji Electric Co., LTD.),Hiromu Takubo(Fuji Electric Co., LTD.),Akio Toba(Fuji Electric Co., LTD.)

キーワード: SiC,ワイドバンドギャップ半導体,ゲート駆動回路,アクティブゲート駆動

要約(日本語): SiC-MOSFETは低損失かつ高速動作できる性能をもつが，過大なサージ電圧が発生する。そこで，これまでにターンオフ期間中に一定期間のみゲート電流を停止させるアクティブゲート駆動方式を提案し，サージ電圧低減効果を検証してきた。本論文では，提案アクティブゲート駆動方式のゲート抵抗依存性を確認し，ゲート抵抗に依らずサージ電圧を低減できることがわかった。また，通常の駆動方法で素子耐圧超過間際のサージ電圧が発生するターンオフ損失に比べ，アクティブゲート駆動では同等のサージ電圧が発生する際のターンオフ損失を35%低減できることを確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 363 Kバイト