キャパシタを用いたSiC-MOSFET用高速ゲート駆動回路

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-028

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): High Speed Gate Drive Circuit for SiC-MOSFET Utilizing Capacitor

著者名: 中小原 佑輔(ローム),大河内 裕太(ローム),中原 健(ローム)

著者名(英語): Yusuke Nakakohara(Rohm Co.,Ltd.),Yuta Okawauchi(Rohm Co.,Ltd.),Ken Nakahara(Rohm Co.,Ltd.)

キーワード: SiC,パワーデバイス,ゲートドライブ回路,高速スイッチング,ゲート抵抗,スイッチング損失

要約(日本語): SiC-MOSFET は電源の小型・高効率化実現のために、実用化が進んでいる。ただし、SiC-MOSFET はSi-MOSFET と比較すると、デバイス内部の寄生ゲート抵抗Rgin が大きく、ゲートの充放電速度が制限されてしまうという問題がある。高速にゲートを充放電する回路として、電流形のゲート駆動回路が提案されているが、Rgin の影響については考慮されていない。そのため、Rgin が大きいSiC-MOSFET でも高速に駆動できるゲート駆動回路を考案し、その有用性を実測で確認したため、報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 298 Kバイト