インダクタを用いたSiC-MOSFET用ハイブリッド形ゲート駆動回路の実機検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-029

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): A Study on Hybrid-source Gate Drive Circuit Using Inductor for SiC-MOSFET

著者名: 大河内 裕太(ローム),中原 健(ローム),白井 慎也(名古屋大学),岩城 聡明(名古屋大学),山本 真義(名古屋大学)

著者名(英語): Yuta Okawauchi(ROHM Co.,Ltd.),Ken Nakahara(ROHM Co.,Ltd.),Shinya Shirai(Nagoya University),Toshihiro Iwaki(Nagoya University),Masayoshi Yamamoto(Nagoya University)

キーワード: SiC,パワーデバイス,ゲート駆動回路,高速スイッチング,ゲート抵抗,スイッチング損失

要約(日本語): SiC-MOSFETはSi-MOSFETと比べるとデバイス内部の寄生ゲート抵抗(Rgin)が大きいという特徴があるため、外付けゲート抵抗Rgexではなく、Rginによりスイッチング速度の限界が決まってしまうことがある。高速にゲートを充放電する回路として電流形のゲート駆動回路が提案されているが、スイッチング完了時のゲート電圧(Vg(sat))が不安定となる。筆者らはRginが大きいSiC-MOSFETでも高速に駆動でき、かつVg(sat)の安定化が可能なゲート駆動回路を提案してきた。今回、その提案回路の実機動作検証をダブルパルス試験によって行い、スイッチング損失の低減とVg(sat)の安定化を両立できることを実証した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 244 Kバイト