SiC パワーMOSFETのMHzスイッチング動作に向けた共振型ゲートドライバ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-031

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Resonant Gate Driver for MHz-Switching of SiC power MOSFET

著者名: 長尾 詢一郎(京都工芸繊維大学),古田 潤(京都工芸繊維大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Junichiro Nagao(Kyoto Institute of Technology),Jun Furuta(Kyoto Institute of Technology),Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: ゲートドライバ

要約(日本語): 近年,電力変換回路の多用途化が進んでいる. 車載やドローン等の用途では電力変換回路の小型軽量化が要求される. スイッチング周波数を高速化することは解決法の1つである. 本稿ではパワーMOSFETを駆動するゲートドライバに着目した. 提案ゲートドライバとして,インダクタを用いた共振型ゲートドライバを提案する. スイッチング前にインダクタにエネルギーを蓄積し、蓄積した磁気エネルギーを電流として放電することで,高いピーク値をもつ電流でパワーMOSFETを駆動する. 実測結果はターンオフが従来の95%,ターンオンが従来の83%のスイッチング時間となった.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 270 Kバイト