SiC-MOSFET のSPICE モデルの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-033

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Development of a SPICE Model for a Silicon-Carbide MOSFET

著者名: 椋木 康滋(三菱電機),堀口 剛司(三菱電機),中武 浩(三菱電機),寺島 知秀(三菱電機),多留谷 政良(三菱電機)

著者名(英語): Yasuhsige Mukunoki(Mitsubishi Electric Corporation),Takeshi Horiguchi(Mitsubishi Electric Corporation),Hiroshi Nakatake(Mitsubishi Electric Corporation),Tomohide Terashima(Mitsubishi Electric Corporation),Masayoshi Tarutani(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: SiC-MOSFET,SPICEモデル

要約(日本語): 本発表では，ディスクリートSiC-MOSFETのSPICE モデルを報告する。今回のSPICEモデルは，これまでSimplorer で開発したデバイスモデルのVHDL-AMS コードを参照し, SPICE のネットリストを記述して開発した。開発したSPICE モデルは実測と整合するスイッチング波形を示した。本開発により，SPICE シミュレータ上でも動作する高精度なデバイスモデルを得た。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 267 Kバイト