GaN-HEMTを用いた高周波共振コンバータの周波数特性の実機検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-120

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): An Experimental Analysis of Frequency Characteristic of High-Frequency Resonant Converter with GaN-HEMT

著者名: 大内 光(神戸市立工業高等専門学校),安田 匠(神戸市立工業高等専門学校),南 政孝(神戸市立工業高等専門学校)

著者名(英語): Hikaru Ouchi(Kobe City College of Technology),Takumi Yasuda(Kobe City College of Technology),Masataka Minami(Kobe City College of Technology)

キーワード: GaN-HEMT,高周波,Cockcroft-Walton回路,共振コンバータ

要約(日本語): 電子線照射装置などの直流高電圧を必要とする装置にはCockcroft-Walton(CW)回路を利用したDC-DCコンバータが用いられている.これらの装置では, 搭載されている高昇圧比DC-DCコンバータの小型化が求められている.高周波動作によって受動素子を小型化することによって高昇圧比DC-DCコンバータの小型化が可能であると考えられる.そこで本報告では, 高速スイッチングが可能なGaN-HEMTを採用した共振コンバータにCW回路を接続した高昇圧比DC-DCコンバータを提案する.そして, 提案回路が高い昇圧比を得られることを実験的に示す.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 177 Kバイト