LLC方式DC-DCコンバータにおけるSiMOSFET およびGaNHEMTのZVS動作の比較検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-121

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Comparison of ZVS operation of SiMOSFET and GaNHEMT in LLC DC-DCconverter

著者名: 荒井 洋壽(東京電機大学),枡川 重男(東京電機大学)

著者名(英語): Hirotoshi/ Arai(Tokyo Denki University),shigeo Masukawa(Tokyo Denki University)

キーワード: GaNHEMT,DCDCコンバータ

要約(日本語): 近年，従来のSiよりも優れたデバイス特性を持つ次世代パワー半導体が注目されている。その中でもGaNを用いた次世代パワー半導体であるGaNHEMTは高周波駆動が可能で低損失なデバイス特性を示している。しかし，GaNデバイスは新しいパワー半導体であるため，様々な応用回路を検討する必要がある。 そこで，本論文では高効率のDC-DCコンバータとして広く用いられている，LLC方式共振型DC-DCコンバータのスイッチング素子としてGaNHEMTとSiMOSFETを比較し，GaNHMTの導入検討を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 689 Kバイト