SiC-MOSFETを用いたMHz領域における昇圧型フライバックコンバータの一検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-134

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): A study on boost type flyback converter using SiC-MOSFET within MHz switching

著者名: 中山 健太郎(千葉工業大学),林 孝亮(千葉工業大学),佐藤 宣夫(千葉工業大学)

著者名(英語): Kentaro Nakayama(Chiba Institute of Technology),Takaaki Hayashi(Chiba Institute of Technology),Nobuo Satoh(Chiba Institute of Technology)

キーワード: フライバックコンバータ,MHzスイッチング,SiCパワーデバイス,直流変換回路,昇圧回路,並列駆動

要約(日本語): スイッチング電源におけるフライバックコンバータ回路方式は，数10 W出力の絶縁型DC/DCコンバータとして使用されている．フライバックコンバータをはじめとする電力変換回路は，その動作周波数を高くすることで，一周期あたりに使用するエネルギー量を小さくできる．そのためインダクタやキャパシタなどの受動素子サイズを縮小でき，回路全体としての小型化・軽量化を達成できる．本研究では，MHz帯で動作可能な絶縁型フライバックコンバータの設計及び作製を行った．また要求される電力量を満たして出力するために，2つのフライバックコンバータの並列化の検討を合わせて実施した．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 313 Kバイト