電磁界解析によるSJ-MOSFET搭載電源の放射ノイズ抑制

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-147

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Radiation Noise Suppression Using Electromagnetic Simulation for a Power Supply with SJ-MOSFET

著者名: 安住 壮紀(東芝),常盤 豪(東芝),山下 浩明(東芝デバイス&ストレージ),来島 正一郎(東芝デバイス&ストレージ)

著者名(英語): Takenori Yasuzumi(Toshiba Corp.),Tsuyoshi Tokiwa(Toshiba Corp.),Hiroaki Yamashita(Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.),Shoichiro Kurushima(Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.)

キーワード: SJ-MOSFET,放射ノイズ,電磁界解析

要約(日本語): スーパージャンクション(SJ)-MOSFETはプレーナ型に対してFET損失の低減が期待できるが，電磁ノイズの増加が問題となる場合がある。筆者らはこれまでにSJ-MOSFETの構造に起因して数百MHz帯で発生するスイッチングノイズに関して，発生のメカニズムを明確化し，FET近傍における対策回路を提案してきた。本稿では，電源回路で発生したノイズに関して，外部への放射を抑制するため回路内で閉じ込める方法について，電磁界解析を活用して検証した結果について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 735 Kバイト