スイッチングノイズ分析のためのMOSFETの寄生容量に着目した等価回路シミュレーション

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-148

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Equivalent Circuit Simulation Focused on Parasitic Capacitance of MOSFET for Switching Noise Analysis

著者名: 大松澤 考弘(青山学院大学),坂上 敦史(青山学院大学),須賀 良介(青山学院大学),橋本 修(青山学院大学),安住 壮紀(東芝),長谷川 光平(東芝),常盤 豪(東芝),溝口 健(東芝デバイス&ストレージ)

著者名(英語): Takahiro Omatsuzawa(Aoyama Gakuin University),Atsushi Sakaue(Aoyama Gakuin University),Ryosuke Suga(Aoyama Gakuin University),Osamu Hashimoto(Aoyama Gakuin University),Takenori Yasuzumi(Toshiba Corp.),Kohei Hasegawa(Toshiba Corp.),Tsuyoshi Tokiwa(Toshiba Corp.),Takeshi Mizoguchi(Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.)

キーワード: MOSFET,シミュレーション,ノイズ,スイッチング損失,スイッチング特性

要約(日本語): 電力変換装置の高効率化にはMOSFETのスイッチングの高速化が有効である．その一方で，スイッチングノイズの増加が懸念されており，これらの両立に向けた設計技術が検討されている。 そこで本研究では，回路シミュレーションによるスイッチング時の動作分析に着目し，実測したスイッチング特性を再現するためのMOSFETのモデルを作成した。その後，任意の容量特性となる複数のMOSFETモデルを用いた場合の計算結果からスイッチング損失及び速度に与える影響を検証した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 615 Kバイト