SiC-MOSFETを用いた低圧直流大電流の遮断過程における接合部温度上昇プロセスに関する考察

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-065

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Evaluation of Junction Temperature Rising Process during Low-Voltage Large Direct Current Interruption with SiC-MOSFET

著者名: 小川 拓真(名古屋大学),横水 康伸(名古屋大学),小椋 陽介(名古屋大学)

著者名(英語): Takuma Ogawa(Nagoya University),Yasunobu Yokomizu(Nagoya University),Yosuke Ogura(Nagoya University)

キーワード: SiC-MOSFET,低圧直流大電流,遮断器,パワー半導体,過渡温度推移,数値シミュレーション

要約(日本語): 筆者らはIGBTやSiC-MOSFET等を用いた低圧直流用遮断器を試作し，その特性評価を行ってきた。近年では，数値計算による遮断特性の解明にも着手しており，本研究室が扱う抵抗による限流方式を用いたSiC-MOSFET型モデル遮断器においては，ピーク値2000 Aもの直流大電流の遮断が可能であることを示してきた。本報告では，その遮断過程における接合部温度の上昇プロセスに関して検討を行っている。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 369 Kバイト