積層構造を有する半導体デバイスの超音波による非破壊診断

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-055

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Non-destructive Diagnosis of Semiconductor Devices with Layered Structure by Using Ultrasound

著者名: 林隼也（豊橋技術科学大学）,辰巳功祐（豊橋技術科学大学）,松井拓人（豊橋技術科学大学）,川島朋裕（豊橋技術科学大学）,村上義信（豊橋技術科学大学）,穂積直裕（豊橋技術科学大学）,松本徹（浜松ホトニクス）

著者名(英語): Syunya Hayashi (Toyohashi University of Technology),Kousuke Tatumi (Toyohashi University of Technology),Takuto Matsui (Toyohashi University of Technology),Tomohiro Kawashima (Toyohashi University of Technology),Yoshinobu Murakami (Toyohashi University of Technology),Naohiro Hozumi (Toyohashi University of Technology),Toru Matsumoto (Hamamatsu Photonics K.K.)

キーワード: 半導体デバイス|超音波|非破壊診断|ハンドウタイデバイス|チョウオンパ|ヒハカイシンダン

要約(日本語): 半導体デバイスの故障解析では，レーザ加熱を用いたIR-OBIRCH(Infrared Optical Beam Induced Resistance CHange) [1]法が不良箇所の特定のために広く使用されている。半導体デバイスはレーザ光を遮断する樹脂に封止されているため，検査時に樹脂を取り除く必要がある。OBIRCH法のレーザ加熱を超音波に代替したSOBIRCH(ultraSOnic Beam Induced Resistance Change) [2]法は，樹脂を取り除く必要がなく，故障状態を維持したまま故障診断が可能である。しかし，近年主流となっている積層構造を持った半導体デバイスでは，超音波の減衰によって，到達パワーが低下し，SOBIRCH法が適用できない可能性がある。本研究では，積層構造を有する半導体デバイスに対してSOBIRCH法を適用し，共振現象を活用した信号強度の改善について検討した。

本誌掲載ページ: 69-70 p

原稿種別: 日本語