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RF低圧テトラメチルシランプラズマにおける電極へ入射するイオンエネルギーの質量分析

RF低圧テトラメチルシランプラズマにおける電極へ入射するイオンエネルギーの質量分析

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-066

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Mass Spectrometric Study on Incident Ion Energy onto Electrode in Low-Pressure RF Tetramethylsilane Plasmas

著者名: 鈴木駿(千葉工業大学),石井晃一(千葉工業大学),小田昭紀(千葉工業大学),太田貴之(名城大学),上坂裕之(岐阜大学),渡邉泰章(イノベーションサイエンス)

著者名(英語): Shun Suziki (Chiba Institute of Technology),Koichi Ishii (Chiba Institute of Technology),Akinori Oda (Chiba Institute of Technology),Takayuki Ohta (Meijo University),Hiroyuki Kousaka (Gifu University),Yoshiaki Watanabe (Innovation Science Co., Ltd.)

キーワード: テトラメチルシランプラズマ|低圧プラズマ|質量分析|テトラメチルシランプラズマ|テイアツプラズマ|シツリョウブンセキ

要約(日本語): 異なる不活性ガスで希釈されたCH4プラズマで成膜されたDLC膜は,希釈ガス種によって成膜速度や膜硬度が変化することや,TMSプラズマ中から基板に入射するイオンのエネルギーを外部パラメータによって制御することによる膜硬度の上昇が報告されている.しかし,Si-DLC膜の成膜に用いられるTMSプラズマの解析が不十分であるのが現状である.本研究では,異なる3種類の不活性ガス(He,Ne,Ar)で希釈されたTMSガスを用いて容量結合型RF低圧プラズマを生成し,四重極質量分析装置を用いSi-DLC成膜に寄与する電極に入射するラジカルやイオンおよびイオンエネルギーの質量分析を行った.

本誌掲載ページ: 84-85 p

原稿種別: 日本語

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