Ar/N2ループ型誘導熱プラズマを用いたSi基板窒化度の窒素流量依存性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-114

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル：Ar/N₂ループ型誘導熱プラズマを用いたSi基板窒化度の窒素流量依存性

タイトル(英語): Nitrogen Flow Rate Dependence in Nitridation Degree of Si Substrate using Ar/N₂ Loop Type of Induction Thermal Plasmas

著者名: 杉山祐樹（金沢大学）,大関元紀（金沢大学）,田中康規（金沢大学）,中野裕介（金沢大学）,石島達夫（金沢大学）,上杉喜彦（金沢大学）,幸本徹哉（シー・ヴィー・リサーチ）,川浦廣（シー・ヴィー・リサーチ）

著者名(英語): Yuki Sugiyama (Kanazawa University),Genki Ohzeki (Kanazawa University),Yasunori Tanaka (Kanazawa University),Yusuke Nakano (Kanazawa University),Tatsuo Ishijima (Kanazawa University),Yoshihiko Uesugi (Kanazawa University),Tetsuya Yukimoto (CV Research Corporation),Hiroshi Kawaura (CV Research Corporation)

キーワード: ループ型誘導熱プラズマ|表面改質|窒化|Si基板|ループガタユウドウネツプラズマ|ヒョウメンカイシツ|チッカ|Siキバン

要約(日本語): 筆者らはこれまでに，熱プラズマによる大面積処理を目的として，ループ型誘導熱プラズマ(loop-ICTP) 装置を開発している。ループ型誘導熱プラズマは，ループ型石英容器を円型コイルで挟み込み，ループ面に垂直に高周波の交番磁界を印加して，プラズマを維持するものである。このloop-ICTP の下流に基板を設置すると，横方向に長い熱プラズマを基板に照射することができる。これまでに，Si 基板， SiC 基板およびTi 基板の酸化および窒化試験を行っており，O2 あるいはN2/H2 などの分子性ガスを導入した場合においてもloop-ICTP を維持できることを確認している。本検討では，本装置による窒化表面処理を対象とし，Si 基板表面窒化度合いの窒素流量依存性を検討した。

本誌掲載ページ: 138-139 p

原稿種別: 日本語