Ar/CH4/H2誘導熱プラズマを用いた単結晶ダイヤモンド膜成長における原料ガス流量の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-115

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル：Ar/CH₄/H₂誘導熱プラズマを用いた単結晶ダイヤモンド膜成長における原料ガス流量の影響

タイトル(英語): Influence of Source Gas Flow Rate on Monocrystalline Diamond Film Growth Using Ar/CH₄/H₂ Inductively Coupled Thermal Plasma

著者名: 加納直樹（金沢大学）,畑和史（金沢大学）,田中康規（金沢大学）,中野裕介（金沢大学）,石島達夫（金沢大学）,上杉喜彦（金沢大学）

著者名(英語): Kano Naoki (Kanazawa University),Hata Kazufumi (Kanazawa University),Tanaka Yasunori (Kanazawa University),Nakano Yusuke (Kanazawa University),Ishijima Tatsuo (Kanazawa University),Uesugi Yoshihiko (Kanazawa University)

キーワード: 誘導熱プラズマ|単結晶ダイヤモンド|原料ガス流量依存性|ユウドウネツプラズマ|タンケッショウダイヤモンド|ゲンリョウガスリュウリョウイゾンセイ

要約(日本語): 本報告では，単結晶ダイヤモンド基板にAr/CH₄/H₂誘導熱プラズマを照射し，単結晶ダイヤモンド膜成長実験をおこなった。誘導熱プラズマ(ICTP)は，高温かつ熱容量が大きく，クリーンな反応場を生成できるという利点から，超高速材料プロセスへの応用が期待されている。筆者らは，このICTP をダイヤモンド膜成長に応用することを考えている。今回，原料ガスであるCH₄/H₂の総流量を混合比CH₄:H₂=1:100一定のもとで変更し，ダイヤモンド膜成長に及ぼす影響を検討した。その結果，原料ガス流量を増加させた場合においてダイヤモンド膜がより高速に成長することが示唆された。

本誌掲載ページ: 139-140 p

原稿種別: 日本語