変調型Ar/CH4/H2誘導熱プラズマ照射により生成する多結晶ダイヤモンド膜に対する原料ガス導入位置の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-119

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル：変調型Ar/CH₄/H₂誘導熱プラズマ照射により生成する多結晶ダイヤモンド膜に対する原料ガス導入位置の影響

タイトル(英語): Influence of Injection Position of Feedstock Gas on Polycrystalline Diamond Film Fabricated by Ar/CH₄/H₂ Modulated Induction Thermal Plasmas

著者名: 畑和史（金沢大学）,加納直樹（金沢大学）,田中康規（金沢大学）,中野裕介（金沢大学）,上杉喜彦（金沢大学）,石島達夫（金沢大学）

著者名(英語): Kazufumi Hata (Kanazawa University),Naoki Kano (Kanazawa University),Yasunori Tanaka (Kanazawa University),Yusuke Nakano (Kanazawa University),Yoshihiko Uesugi (Kanazawa University),Tatsuo Ishijima (Kanazawa University)

キーワード: 変調誘導熱プラズマ|鋸波変調|多結晶ダイヤモンド膜|原料ガス導入位置|化学気相蒸着法|熱解離|ヘンチョウユウドウネツプラズマ|ノコギリハヘンチョウ|タケッショウダイヤモンドマク|ゲンリョウガスドウニュウイチ|カガクキソウジョウチャクホウ|ネツカイリ

要約(日本語): 本報告では，変調誘導熱プラズマ照射による多結晶ダイヤモンド膜生成に対して, 原料ガス導入位置の影響を調査した。誘導熱プラズマ(ICTP)は，高温かつ熱容量が大きく，クリーンな反応場を生成できるという利点から，筆者らはこれをダイヤモンド膜生成に応用することを考えている。原料ガス導入位置の変更により, 原料ガスの解離度および基板に照射される粒子束が変化することが考えられる。本報告では, 3通りの原料ガス導入位置条件でSi基板に熱プラズマを照射し, 堆積膜を評価した。その結果，原料ガス導入位置が基板からより遠い条件が比較的高生成レートでより良質な多結晶ダイヤモンド膜が生成されることが示唆された。

本誌掲載ページ: 143-144 p

原稿種別: 日本語