AgGaTe?太陽電池構造の作製とGa拡散の制御

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-080

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Preparation of AgGaTe? Solar Cell Structures and Suppression of Ga Diffusion

著者名: 篠原慧哲（早稲田大学）,小林正和（早稲田大学）

著者名(英語): Keitetsu Shinohara (Waseda University),Masakazu Kobayashi (Waseda University)

キーワード: 近接昇華法|薄膜太陽電池|カルコパイライト構造|メルトバックエッチング|キンセツショウカホウ|ハクマクタイヨウデンチ|カルコパイライトコウゾウ|メルトバックエッチング

要約(日本語): 太陽電池応用を目指し、Mo金属電極膜上に近接昇華法とスパッタ法を組み合わせてAgGaTe?薄膜を作製しているが、断面を観察したところ、Mo電極界面が荒れた状態となるメルトバックエッチングが生じてしまうことや、AgGaTe?層内にMo-Te化合物が生成されてしまうことが確認された。この原因の一つとして考えられるGaの異常拡散を防ぐため、AgGaTe?薄膜の原料粉末の減量や、近接昇華法の成長時間短縮などを行うことで、Mo電極界面の平坦化に成功したものの、太陽電池構造として膜厚は不十分であった。 そこで本研究では、近接昇華法における原料仕込み量の見直しを行うことで、平坦なMo電極界面を保ったまま、従来のAgGaTe?層と同程度の膜厚に増加することを検討した。

本誌掲載ページ: 95-96 p

原稿種別: 日本語