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Fe85.1-<i>x</i>Ga<i>x</i>B14.9薄膜における磁気特性のGa組成依存性

Fe85.1-<i>x</i>Ga<i>x</i>B14.9薄膜における磁気特性のGa組成依存性

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-093

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル:Fe85.1-xGaxB14.9薄膜における磁気特性のGa組成依存性

タイトル(英語): Dependence of Magnetic Properties on the Ga Composition for Fe85.1-xGaxB14.9 Thin Films

著者名: 村松省吾(東北大学),宮崎孝道(東北大学),遠藤恭(東北大学)

著者名(英語): Shogo Muramatsu (Tohoku University),Takamichi Miyazaki (Tohoku University),Yasushi Endo (Tohoku University)

キーワード: 磁気歪み材料|磁化ダイナミクス|磁性材料|強磁性共鳴|ダンピング定数|ジキヒズミザイリョウ|ジカダイナミクス|ジセイザイリョウ|キョウジセイキョウメイ|ダンピングテイスウ

要約(日本語): Fe-Ga二元合金薄膜は高い飽和磁歪量および優れた機械特性を有するため,磁歪薄膜材料として注目を集めている.我々はこれまでにFe-Ga多結晶薄膜の磁化ダイナミクスを検討してきた.その結果,強磁性共鳴線幅が広く,ダンピング定数が高いことを明らかにした.この結果は,Fe-Ga多結晶薄膜が高周波デバイスへの応用には不向きであることを示唆している.そこで軟磁気特性および高周波磁気特性の改善を目指してFe-Ga-B薄膜の特性を検討した.その結果,磁歪定数は49~67 ppm,ダンピング定数は0.006~0.010を達成した.以上の結果より,Bを添加したFe-Ga-B膜では,従来のFe-Ga膜に比べて,軟磁気特性および高周波磁気特性を著しく改善できることがわかった.

本誌掲載ページ: 110-111 p

原稿種別: 日本語

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