カリウムイオンイメージセンサ用ゾルゲルガラス感応膜のCMOSプロセスの適合性の検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-124

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Verification of CMOS Process Compatibility of Sol-gel Glass Sensitive Film for Potassium Ion Image Sensor

著者名: 阪本宏太朗（豊橋技術科学大学）,川崎健吾（豊橋技術科学大学）,堀尾智子（豊橋技術科学大学）,高橋一浩（豊橋技術科学大学）,野田俊彦（豊橋技術科学大学）,服部敏明（豊橋技術科学大学）,澤田和明（豊橋技術科学大学）

著者名(英語): Kotaro Sakamoto (Toyohashi University of Technology),Kengo Kawasaki (Toyohashi University of Technology),Tomoko Horio (Electronics-Inspired Interdisciplinary Research Institute),Kazuhiro Takahashi (Toyohashi University of Technology),Toshihiko Noda (Toyohashi University of Technology),Toshiaki Hattori (Toyohashi University of Technology),Kazuaki Sawada (Toyohashi University of Technology)

キーワード: 半導体プロセス|ゾルゲル|カリウムイオン|イオンイメージセンサ|ハンドウタイプロセス|ゾルゲル|カリウムイオン|イオンイメージセンサ

要約(日本語): 本研究室では、細胞外の水素濃度分布をイメージングできるpHイメージセンサの開発を行ってきた。センサ上にK+感受性膜を成膜することで、同様に細胞や組織のK+濃度分布のイメージングが可能である。現在、生体適合材料であるゾルゲルガラスを用いたK+感応膜が注目されている。しかしセンサの微細化に対応するためには半導体プロセスに適合する必要があり、イオン感応膜の耐熱性や均一な薄膜化が求められる。そこで本研究では、ゾルゲル膜をスピンコートしベーク温度を上げて成膜をすることで、高精細K+イメージセンサを作製・検証することで耐熱性があり薄膜のゾルゲルガラス感応膜を作製し、半導体プロセス適合性をもつことが確認された。

本誌掲載ページ: 183-184 p

原稿種別: 日本語