タフMEMSのための絶縁層を有するチタン基板の開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-138

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Development of Titanium Wafer Insulation Layer for Tough MEMS

著者名: 守屋赳利（新潟大学）,長谷川穂高（新潟大学）,佐々木朋裕（新潟大学）,寒川雅之（新潟大学）,安部隆（新潟大学）

著者名(英語): Taketoshi Moriya (Niigata University),Hodaka Hasesgawa (Niigata University),Tomohiro Sasaki (Niigata University),Masayuki Sohgawa (Niigata University),Takashi Abe (Niigata University)

キーワード: タフMEMS|チタン|TOI|PDMS|タフメムス|チタン|ティーオーアイ|ピーディーエムエス

要約(日本語): 本研究では、Tiとガラス(Ti/PDMS/Glass板)あるいはTiとTiを柔軟な材料であるPDMSを介して接合した基板(TOI、Titanium-On-Insulator)を考案し、試作と評価を行った。評価は引張試験で行い、ヘキサンで薄層化したPDMSを被覆した場合とプラズマ処理をした場合について、その接合力への影響を検討した。 結果、Ti/PDMS/Glass板については、プラズマ処理を有した方が把持部のガラスが先に破断するほどの強度を示した。TOIについてもプラズマ処理を行い、薄層化したPDMSを塗布後にPDMS膜で接合した場合は、Tiが先に破断するほどの強固な接合を示した。これより、本研究で考案したPDMSを用いた接合法は、タフなセンサ・アクチュエータ(タフMEMS)用の絶縁層を有する基板の作製に適していることが示された。

本誌掲載ページ: 197-198 p

原稿種別: 日本語