SOIウエハの内向面へのエレクトレット形成とMEMS静電アクチュエータ応用

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-141

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Electret fabrication at inner faces of SOI wafers and their application to MEMS actuators

著者名: 佐野智華子（東京大学）,安宅学（東京大学）,橋口原（静岡大学）,年吉洋（東京大学）

著者名(英語): Chikako Sano (The University of Tokyo),Manabu Ataka (The University of Tokyo),Gen Hashiguchi (Shizuoka University),Hiroshi Toshiyoshi (The University of Tokyo)

キーワード: エレクトレット|SOI-MEMS|低電圧駆動|静電アクチュエータ|テイデンアツクドウ|セイデンアクチュエータ

要約(日本語): 本報告では、SOIウエハの内向面にあたる、BOX層の厚みを介してシリコンが対向する部分に、エレクトレットを形成することに成功した。そして、電気機械特性の評価を通して、エレクトレットが対向電極との間に電位差を形成していることを確認した。この電位差はエレクトレット形成時に印加した－50 Vの電圧と同じ値であったため、帯電電圧を容易に制御できる有効なエレクトレット形成手法であり、マイクロスピーカー等、振動膜を有するMEMSアクチュエータに幅広く応用できる技術だと考える。

本誌掲載ページ: 201-203 p

原稿種別: 日本語