パリレン常温真空封止を用いた静電容量式CMOS-MEMS圧力センサ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-143

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Capacitive CMOS-MEMS Pressure Sensors using Room Temperature Vacuum Sealing by Parylene Coating

著者名: 野口駿太（東京電機大学）,小松聡（東京電機大学）

著者名(英語): Shunta Noguchi (Tokyo Denki University),Satoshi Komatsu (Tokyo Denki University)

キーワード: CMOS-MEMS圧力センサ|静電容量式センサ|CMOSプロセス|パリレンコート|常温真空封止|シーモスメムスアツリョクセンサ|セイデンヨウリョウシキセンサ|シーモスプロセス|パリレンコート|ジョウオンシンクウフウシ

要約(日本語): 本研究ではサブミクロンの微細なパターンを形成できるCMOSプロセスを用いて静電容量式圧力センサを設計し、ポストプロセスによってセンサを製作する。真空封止にはパリレンを用いて室温で成膜することでLSIとの親和性が高いCMOS-MEMS圧力センサを製作する。設計には0.8μm CMOSプロセスを採用し、従来研究で使用された0.18μm CMOSプロセスよりも旧世代プロセスを用いることで安価な設計・製造手法を提案する。製作したセンサは40～100kPaの圧力範囲で感度は15.8 fF/kPa、非直線性誤差は±1.80%となった。今後はCV変換回路と圧力センサを集積させた集積化MEMSの評価を行う。

本誌掲載ページ: 204-206 p

原稿種別: 日本語