SiC-MOSFETの高温動作時のスイッチング特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-003

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Switching characteristics of SiC-MOSFET at high temperature operation

著者名: 佐藤伸二（産業技術総合研究所）,加藤史樹（産業技術総合研究所）,宝藏寺裕之（産業技術総合研究所）,佐藤弘（産業技術総合研究所）,山口浩（産業技術総合研究所）,原田信介（産業技術総合研究所）

著者名(英語): Shinji Sato (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Fumiki Kato (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hiroshi Hozoji (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hiroshi Sato (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hiroshi Yamaguchi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Shinsuke Harada (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST))

キーワード: SiC|高温動作|スイッチングサージ|SiC|コウオンドウサ|スイッチングサージ

要約(日本語): SiCやGaNなどのワイドギャップ半導体を使用したパワーデバイスはSiデバイスよりも高い不純物濃度かつ薄いドリフト層で作製できるため、導通時の抵抗値を小さくできる。また、ユニポーラデバイスであるためスイッチング時間が短く、スイッチング損失を小さくできる。これらの特徴を利用することで電力変換器の低損失化や高周波動作が実現できる。さらに、高温動作が可能であり、400℃での動作も報告されている。 一般にMOSFET構造には逆並列方向にPN接合ダイオードが組み込まれている。PN接合ダイオードは温度上昇によってリカバリ特性が悪化しサージを発生する。上述の通り、SiC-MOSFETは高温でも動作可能であるが、リカバリ特性はあまり議論されていない。本報告では、SiC-MOSFETの動作温度とスイッチングサージの関係について考察する。

本誌掲載ページ: 5-7 p

原稿種別: 日本語