SiCトレンチ MOSFET内蔵pinダイオードにおける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-004

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Dependence of reverse recovery characteristics of pin body diode on negative gate bias in SiC trench MOSFETs

著者名: 金森大河（筑波大学）,饗場塁士（筑波大学）,大川雅貴（筑波大学）,原田信介（産業技術総合研究所）,矢野裕司（筑波大学）,岩室憲幸（筑波大学）

著者名(英語): Taiga Kanamori (University of Tsukuba),Ruito Aiba (University of Tsukuba),Masataka Okawa (University of Tsukuba),Shinsuke Harada (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiroshi Yano (University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro (University of Tsukuba)

キーワード: SiC|MOSFET|内蔵pinダイオード|逆回復特性|負ゲートバイアス|ターンオン|エスアイシー|モスエフイーティー|ナイゾウピンダイオード|ギャクカイフクトクセイ|フゲートバイアス|ターンオン

要約(日本語): チャネル長の異なる1.2kV級SiC IE-UMOSFETを用い、内蔵pinダイオードの逆回復特性の負ゲートバイアスの依存性を評価解析した。その結果、チャネル長0.8μm素子の場合、負ゲートバイアスの値に依らず逆回復特性およびターンオン損失は変化しないが、チャネル長0.4μm素子は、チャネル部からのもれ電流により、逆回復損失は負ゲートバイアスを印加した方が印加しない方に比べ損失が26％、ターンオン損失が15％大きくなった。よってチャネル長0.4μm素子は、特性は負ゲートバイアスに依存することがわかった。

本誌掲載ページ: 7-9 p

原稿種別: 日本語