SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-005

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Analysis of Forward Conduction State Dependence on Reverse Recovery Characteristics in SiC p+/p-/n+ Diode

著者名: 亀和田亮（筑波大学）,饗場塁土（筑波大学）,矢野裕司（筑波大学）,岩室憲幸（筑波大学）

著者名(英語): Ryo Kamewada (University of Tsukuba),Ruito Aiba (University of Tsukuba),Hiroshi Yano (University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro (University of Tsukuba)

キーワード: SiC p+/p-/n+ダイオード|高電圧・高速パルス|逆回復特性|順方向電流導通期間|伝導度変調|エスアイシーピープラスピーマイナスエヌプラスダイオード|コウデンアツ・コウソクパルス|ギャクカイフクトクセイ|ジュンホウコウデンリュウドウツウキカン|デンドウドヘンチョウ

要約(日本語): 高電圧・高速パルス発生用素子としてSiC p+/p-/n+ダイオードの研究を行っている。本報告では，シリコンとSiC n,pMOSFETのボディダイオードの測定から，ダイオードの順方向電流導通時の伝導度変調と逆回復特性の依存性について解析した。さらにTCADシミュレーションを用いてSiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性のオン時間依存性を計算した。この結果から，SiC p+/p-/n+ダイオードにおいて高電圧・高速パルスを得るためには，p-層における少数キャリアのライフタイムや，オン時間を長くし，十分に伝導度変調させる必要があることが分かった。さらに，TCADシミュレーションを用いたオン時間中における素子内部の伝導度変調状態の解析結果についても議論する。

本誌掲載ページ: 9-11 p

原稿種別: 日本語