1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-006

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Analysis of Reverse Bias Safe Operating Area in 1.2kV SiC Trench MOSFETs

著者名: 戸高駿希（筑波大学）,松井ケビン（筑波大学）,饗場塁士（筑波大学）,大川雅貴（筑波大学）,金森大河（筑波大学）,原田信介（産業技術総合研究所）,矢野裕司（筑波大学）,岩室憲幸（筑波大学）

著者名(英語): Shunki Todaka (University of Tsukuba),Kevin Matsui (University of Tsukuba),Ruito Aiba (University of Tsukuba),Masataka Okawa (University of Tsukuba),Taiga Kanamori (University of Tsukuba),Shinsuke Harada (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiroshi Yano (University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro (University of Tsukuba)

キーワード: SiC|MOSFET|RBSOA|短チャネル長|エスアイシー|モスフェット|アールビーエスオーエー|タンチャネルチョウ

要約(日本語): Short-Channel IE-UMOSFET はチャネル長がIE-UMOSFETの半分であり、しきい値電圧も約0.9 V低いため、飽和電流値が大きな値となった。そのためShort-Channel IE-UMOSFETの最大ターンオフ電流は、IE-UMOSFETの2.4倍、市販Si-IGBTの6倍という非常に大きな値を示し、RBSOA は実使用上問題の無いレベルにあるといえる。さらにShort-Channel IE-UMOSFETは特性オン抵抗が2.4 mΩcm² と十分低いオン抵抗特性を示すにもかかわらず、十分広いRBSOA 特性を示すことも併せて分かった。これはターンオフ時の素子内温度が388 Kと、SiC内で電子・正孔対が熱励起するほどの高温に達しないため、寄生npn トランジスタが動作しにくいことが原因であると考えられる。

本誌掲載ページ: 11-13 p

原稿種別: 日本語