SiC-MOSFET向け10MHz駆動回路の検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-007

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Verification of 10MHz drive circuit for SiC-MOSFETs

著者名: 髙久佳雅（金沢工業大学）,吉田健人（金沢工業大学）,中田修平（金沢工業大学）

著者名(英語): Yoshimasa Takaku (Kanazawa Institute of Technologyy),Kento Yoshida (Kanazawa Institute of Technologyy),Shuhei Nakata (Kanazawa Institute of Technologyy)

キーワード: SiC-MOSFET|ゲート駆動回路|高周波駆動|昇圧チョッパ|DC-DCコンバータ|GaN-FET|ゲートクドウカイロ|コウシュウハクドウ|ショウアツチョッパ|DC－DCコンバータ

要約(日本語): SiCやGaNを用いた次世代パワーデバイスは、Siではできない低オン抵抗特性及び高速動作が可能である。これによりパワエレ機器を大幅に小型化できる。しかしSiデバイス向けゲート駆動回路では、10MHZを超えるような高周波駆動はできない。そこで本稿ではGaN-FETを使用したSiC-MOSFET向け10MHz絶縁ゲート駆動回路を試作し、昇圧チョッパに適用したので結果について報告する。 本稿で試作したゲート駆動回路ではSiC-MOSFETを駆動するために、プリドライバとしてGaN-FETを使用した。さらに負バイアスにより動作を安定させた。これによりスイッチング周波数10MHzでデューティ比がを30%から70%可変でき、SiC-MOSFETの高周波駆動が行えることを確認した。また昇圧チョッパ回路に適用し、10MHzスイッチングによる昇圧動作を確認した。

本誌掲載ページ: 13-14 p

原稿種別: 日本語