SiC-MOSFETのデッドタイムレス制御―同期整流方式に関する基礎検討4―

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-009

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Dead Timeless Control of SiC-MOSFETs

著者名: 和久井拓海（茨城工業高等専門学校）,二瓶颯斗（日立オートモーティブシステムズ）,長洲正浩（茨城工業高等専門学校）,秋山悟（日立製作所）,石川勝美（日立製作所）

著者名(英語): Takumi Wakui (National Institute of Technology (KOSEN), Ibaraki College),Hayato Nihei (Hitachi Automotive Systems),Masahiro Nagasu (National Institute of Technology (KOSEN), Ibaraki College),Satoru Akiyama (Hitachi),Katsumi Ishikawa (Hitachi)

キーワード: 同期整流回路|デッドタイム|ドウキセイリュウカイロ|デッドタイム

要約(日本語): SiC-MOSFETを同期整流回路に使用するとボディダイオードが導通することで高い導通損失を発生させることや正孔の注入による結晶欠陥の増加などの問題が発生する。この問題はデッドタイムを短くすることで軽減できる。 そのため同期整流回路において本研究室で開発されているデッドタイムレス制御を適用し負荷電流増加状態から還流状態への遷移時に発生するスイッチング損失を測定した。 その結果、最も大きい損失低減効果を得られる制御回路の条件を確認し従来の制御と比較して得られる損失低減効果を確認した。

本誌掲載ページ: 16-18 p

原稿種別: 日本語