低電圧MOSFET用アクティブゲートドライバの動作検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-016

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Experimental verification of active gate driver for low voltage MOSFET

著者名: 野下裕市（九州大学）,鄧明聡（東京農工大学）

著者名(英語): Yuichi Noge (Kyusyu University),Mingcong Deng

キーワード: ゲート駆動回路|ゲートクドウカイロ

要約(日本語): 近年，低電圧MOSFETの性能向上により，データセンターや車載に向けた48 V電力変換システムの実用化が進展している。これらのシステムを高効率化するために，スイッチング損失の低減が大きな課題となる。大容量IGBT用の電圧・電流帰還型アクティブゲートドライバ(AGD)回路(1)が提案されている。筆者らはこの中の電流帰還回路のみを利用して大容量SiC-MOSFETモジュールに適用し，効果を検討してきた(2)。本論文では同様のAGD回路を低電圧Si-MOSFETに適用し，スイッチング動作特性を実験検証したので報告する。

本誌掲載ページ: 27-28 p

原稿種別: 日本語