ゲート駆動信号への狭パルス挿入によるドレイン電圧の高周波成分の抑制

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-017

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Suppression of High-Frequency Components of Drain Voltage by Insertion of a Narrow Pulse into the Gate Drive Signal

著者名: 和田幸彦（三菱電機）

著者名(英語): Yukihiko Wada (Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: パワーデバイス|ゲート駆動信号|狭パルス|ドレイン電圧|高周波成分|ソフトウェア駆動方式|パワーデバイス|ゲートクドウシンゴウ|キョウパルス|ドレインデンアツ|コウシュウハセイブン|ソフトウェアクドウホウシキ

要約(日本語): 損失を増やすことなくSiC MOSFETのターンオン時のドレイン電圧の高周波成分を抑制した。 ミラー期間の終了時に一瞬だけ駆動力を弱めることを狙い、定格1200V、400AのSiC MOSFETモジュールを使用してターンオン指令の約200ns後に幅20nsの極めて短時間の“OFF”指令（ノッチ）を挿入して駆動すると、ドレイン電圧波形に含まれる高周波成分が30～80MHz領域で5dB低減される一方、損失は1%も増えないことが確認された。 ハードウェアに一切手を加えず、駆動信号への狭パルス挿入だけでドレイン電圧の高周波成分を低減できることは、ソフトウェアとしてのゲート駆動技術に工夫の余地があることを示していると言える。

本誌掲載ページ: 28-29 p

原稿種別: 日本語