インターリーブ昇圧回路の高周波化による効率改善

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-066

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Efficiency improvement of interleaved boost converter by high frequency

著者名: 吉野浩行（三菱電機）,坂下友一（三菱電機）

著者名(英語): Yoshino Hiroyuki (MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION ADVANCED TECHNOLOGY R and D CENTER),Sakashita Tomokazu (MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION ADVANCED TECHNOLOGY R and D CENTER)

キーワード: 昇圧コンバータ|インターリーブ|高周波|ショウアツコンバータ|インターリーブ|コウシュウハ

要約(日本語): 車載用ヘッドライトのLED は複数個が直列接続される為昇圧回路が必要で、その小型化手法であるインターリーブ方式では従来、AM 帯域へのノイズ干渉回避と半導体スイッチの発熱を考慮し各相スイッチング周波数Fswの合計（等価周波数）Fa をAM 帯域より低くしていた為、周辺部品が大型化する課題があった。本稿では周辺部品や放熱器の小型化を目的に、Fa をAM 帯域より高くする効率改善手法を検討した。各相のFsw を従来の3.4 倍：850kHz、インダクタンス約1/3：3.3μHのインダクタLn として直流銅損低減を狙う。また低QgのGaN FET を用い、Fsw を高くした状態でも従来Si FET：250kHzよりスイッチング損失を低減させる。単相Fsw はAM 帯域内となるが2 相構成でFa をAM帯域外とする。シミュの結果、主回路効率は従来方式93.15％に対し本方式は95.07%と約1.9%の改善が期待できる。1相あたりLn は0.78W 、MOSFET（Qn）は0.57W の損失低減が期待できる。

本誌掲載ページ: 107-108 p

原稿種別: 日本語