炭化珪素サージ吸収ダイオードの試作と評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-109

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Fabrication and Evaluation of a Silicon Carbide Surge Absorption Diode

著者名: 山本真幸（産業技術総合研究所）,小関国夫（産業技術総合研究所）,中山浩二（産業技術総合研究所）,田中保宣（産業技術総合研究所）

著者名(英語): Masayuki Yamamoto (AIST),Kunio Koseki (AIST),Koji Nakayama (AIST),Yasunori Tanaka (AIST)

要約(日本語): 近年、パワー半導体デバイスのスイッチング速度向上により、回路の寄生インダクタンスに起因したターンオフ時に発生するサージ電圧の影響が無視できなくなっている。この問題を解決するため、我々は以前の研究において、サージ吸収を目的とした炭化珪素アバランシェダイオードを試作し、素子のアバランシェ降伏以降の電流密度-電圧(j-V)特性を評価することで、素子が400V以上の高電圧領域において優れたクランプ特性を持ちうることを示した。本講演では、電流100Aの回路における試作素子のサージ吸収特性評価の結果を発表する。

本誌掲載ページ: 174-175 p

原稿種別: 日本語