SiC-MOSFETを用いた直流大電流の遮断過程における接合部温度評価－電源電圧380V－

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-061

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Evaluation of Junction Temperature during Large Direct Current Interrupting Process with SiC-MOSFET -Power Supply Voltage 380V-

著者名: 渡邉幹太（名古屋大学）,横水康伸（名古屋大学）,小椋陽介（名古屋大学）,小川拓真（名古屋大学）

著者名(英語): Kanta Watanabe (Nagoya University),Yasunobu Yokomizu (Nagoya University),Yosuke Ogura (Nagoya University),Takuma Ogawa (Nagoya University)

キーワード: 遮断器|低圧直流|限流|SiC-MOSFET|シャダンキ|テイアツチョクリュウ|ゲンリュウ|エスアイシーモスエフイーティー

要約(日本語): 筆者らはIGBTやSiC-MOSFETを用いた低圧直流遮断器を試作し，その特性評価を行ってきた。近年では，数値計算による遮断特性の解明に着手している。限流方式を用いたSiC-MOSFET型モデル遮断器においては，2Ω以上の限流抵抗を使用することで電源電圧120V，突入電流2000Aにおける遮断特性を求めてきた。本報告では，電源電圧380Vにおける遮断特性として，FET素子の接合部温度上昇，端子間電圧について数値計算により検討している。計算結果から，限流抵抗の値を8Ω以上10Ω以下とすることで，MOSFETの定格を超えることなく2000Aの大電流を遮断可能であると考えている。

本誌掲載ページ: 81-82 p

原稿種別: 日本語