熱画像を利用したBPDの開放故障判定方法に関する研究6 －最適な抵抗値の決定－

カテゴリ: 全国大会

論文No: 7-011

グループ名: 【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集

発行日: 2020/03/01

タイトル(英語): Study on judgment method open failure of bypass diode using thermal image 6 -Determination of optimum resistance value-

著者名: 上田紘巨（名城大学）,山中三四郎（名城大学）,青山泰宏（トーエネック）,西戸雄輝（トーエネック）,小林浩（トーエネック）

著者名(英語): Koki Ueda (Meijo University),Samshiro Yamanaka (Meijo University),Yasuhiro Aoyama (TOENEC Corporation),Yuki Nishido (TOENEC Corporation),Hiroshi Kobayashi (TOENEC Corporation)

キーワード: 太陽電池|熱画像|遮光|外部抵抗|タイヨウデンチ|ネツガゾウ|シャコウ|ガイブテイコウ

要約(日本語): バイパスダイオードが開放故障すると，セルを損傷させる恐れがある。そのため，開放故障箇所を特定する方法が必要である。筆者らは熱画像を用いて，故障箇所を特定する方法を検討している。この方法はモジュールの種類よって開放故障時のセル温度が100℃以上と高温になる場合がある。そのため，判定中にセルを損傷させないために開放故障の発熱温度をできるだけ低温にしたい。これまでの検討より，外部抵抗を回路に挿入し，できるだけ低温かつ正常時と開放故障時の温度差が大きくなる抵抗値を検討したところ，1～2Ωの間にあることが判明した。本稿では，この抵抗値をさらに詳細に検討した。その結果，最適な抵抗値は1.5Ωであることが分かった。

本誌掲載ページ: 15-16 p

原稿種別: 日本語