DLC成膜用低圧高周波Ar/CH4プラズマ特性に及ぼす希釈Ar濃度の影響の数値解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-105

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Numerical Analysis of Influence of Diluted Ar Concentration on Fundamental Properties of Low-Pressureand Radio-Frequency Ar/CH4 Plasma for Deposition of Diamond-Like Carbon Thin Films

著者名: 佐々木瞬（千葉工業大学）,石井晃一（千葉工業大学）,小田昭紀（千葉工業大学）

著者名(英語): Sasaki Shun (Chiba institute of technology),Ishii Koichi (Chiba institute of technology),Oda Akinori (Chiba institute of technology)

キーワード: シミュレーション|低圧プラズマCVD|高周波プラズマ|DLC膜|Simulation|Low-pressure plasma enhanced chemical vapor deposition|Radio-frequency plasmas|Diamond-like carbon films

要約(日本語): 近年，ダイヤモンドライクカーボン（DLC）膜の成膜には低圧プラズマCVD法が多く用いられている。本?法は大面積かつ均一な成膜が可能であるが，圧力が低いことによる成膜速度の低下や膜の軟化が課題となっている。この課題に対し，成膜用ガスである炭化水素ガスをArやN2で希釈すると成膜速度および膜硬度が改善できることが報告されている。しかし, 希釈Arガスが及ぼすプラズマ特性への影響は未解明な部分が多く, 成膜技術向上にはその理解が必要不可欠である。そこで本研究では，低圧高周波Ar/CH4プラズマの流体モデルによる

原稿種別: 日本語

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