不平衡型HiPIMSを用いたMoN成膜にバースト状パルス基板バイアス電圧が及ぼす影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-107

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Influence of Burst Pulsed Voltage Biasing to a substrate on MoN deposition by unbalanced HiPIMS

著者名: 東欣吾（兵庫県立大学）,金田和彦（兵庫県立大学）,田中達也（兵庫県立大学）,岡好浩（兵庫県立大学）

著者名(英語): Kingo Azuma (University of Hyogo),Kazuhiko Kaneda (University of Hyogo),Tatsuya Tanaka (University of Hyogo),Yoshihiro Oka (University of Hyogo)

キーワード: HiPIMS/HPPMS|パルス放電|スパッタリング|モリブデンプラズマ|基板バイアス|HiPIMS/HPPMS|Pulsed discharge|Sputtering|Molybdenum plasma|Substrate voltage biasing

要約(日本語): 不平衡HiPIMSはパルス状の高密度金属プラズマが得られるスパッタリング法である。アルゴン・窒素混合ガス環境下でモリブデンプラズマを生成し、窒化モリブデンの形成を行った。その際、基板フォルダにバースト状の負極性バイアスパルス電圧をプラズマ生成に同期させて印加した。印加電圧が100 Vを超えると、薄膜の電気抵抗率に対してバイアス電圧の効果が現れることが実験的に確認された。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 465 Kバイト