減圧型Ar/CH4/H2 誘導熱プラズマを用いた単結晶ダイヤモンド成長における原料ガス流量の検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-110

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Study on Source Gas Flow Rate on Monocrystalline Diamond Film Growth Using Ar/CH4/H2 Inductively Coupled Thermal Plasma at Reduced Pressures

著者名: 加納直樹（金沢大学）,畑和史（金沢大学）,田中康規（金沢大学）,中野裕介（金沢大学）,石島達夫（金沢大学）

著者名(英語): Naoki Kano (Kanazawa University),Kazufumi Hata (Kanazawa University),Yasunori Tanaka (Kanazawa University),Yusuke Nakano (Kanazawa University),Tatsuo Ishijima (Kanazawa University)

キーワード: 誘導熱プラズマ|単結晶ダイヤモンド成長|化学気相蒸着|Inductively Coupled Thermal Plasma|Monocrystalline Diamond Growth|Chemical Vapor Deposition

要約(日本語): Ar/CH4/H2誘導熱プラズマを用いて単結晶ダイヤモンド成長を3通りの原料ガスCH4/H2流量条件(混合比1:10で一定)でおこなった。その結果，あるCH4/H2流量条件の場合のみ種基板が単結晶成長することが判明した。これは，基板へ照射されるC系・CH系ラジカルおよびHラジカルが単結晶ダイヤモンド成長に適した割合であったためと考えられる。その他の条件では，H系ラジカル過剰に基板へ照射され基板が削られる，C系・CH系ラジカルが過剰に基板へ照射されグラファイトが形成される，というようにダイヤモンド成長に適さ

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 515 Kバイト