半導体チップ終端部におけるシリコーンゲルの空間電荷分布シミュレーション

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-031

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Simulation of the Space Charge Distribution in Silicone Gel Located on the Semiconductor Chip Termination

著者名: 岸本幸樹（三菱電機）,門脇和丈（三菱電機）,田尻邦彦（三菱電機）,塩田裕基（三菱電機）

著者名(英語): Koki Kishimoto (Mitsubishi Electric Corporation),Kazutake Kadowaki (Mitsubishi Electric Corporation),Kunihiko Tajiri (Mitsubishi Electric Corporation),Hiroki Shiota (Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 空間電荷|シリコーンゲル|シミュレーション|space charge|silicone gel|simulation

要約(日本語): パワーモジュールに搭載される半導体チップでは、絶縁信頼性試験（HTRB：High Temperature Reverse Bias、THB：Temperature Humidity Bias）時の半導体チップ終端部における封止樹脂の空間電荷の蓄積による影響が報告されている。そのため、パワーモジュールの絶縁信頼性向上のためには、半導体チップ終端部における封止樹脂の空間電荷分布の解明が求められている。本研究では、半導体チップのデバイスシミュレーションソフトTCAD（Technology Computer Ai

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 330 Kバイト