MBE法によるZnMgTe薄膜の分子線強度変化に対する表面平坦性評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-063

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Evaluation of crystal surface flatness with respect to changes in molecular beam intensity of ZnMgTe thin film by MBE method

著者名: 細井菜々乃（早稲田大学）,小林昇太郎（早稲田大学）,坪井海人（早稲田大学）,安藤達也（早稲田大学）,坂本悠哉（早稲田大学）,杉本昴大（早稲田大学）,小林正和（早稲田大学）

著者名(英語): Nanano Hosoi (Waseda University),shotaro Kobayashi (Waseda University),Kaito Tsuboi (Waseda University),Tatsuya Ando (Waseda University),Yuya Sakamoto (Waseda University),Kota Sugimoto (Waseda University),Masakazu Kobayashi (Waseda University)

キーワード: 半導体|結晶成長|ZnMgTe|ガリウムヒ素|原子間力顕微鏡(AFM)|X線回折|semiconductor|Crystal growth|Zinc magnesium telluride|Gallium arsenide|Atomic Force Microscopy|X-ray diffraction

要約(日本語): 我々は人体間通信素子の応用に向け、MBE法を用いたZnTe基板上ZnMgTe/ZnTe導波路の作製を行っている。導波路の結晶品質はZnMgTe層のⅡ族(Zn,Mg)とⅥ族(Te)の分子線強度によっても大きく変化する。また、導波路界面の平坦性はEO効果に重要であり、表面凹凸は光閉じ込めに大きな影響を与えると考えられている。 そこで今回は、分子線強度比(JⅥ/JⅡ)を変化させてGaAs基板上ZnMgTe薄膜成長を行い、X線回折とAFMにより表面平坦性の評価を行った。その結果、導波路界面に適した表面凹凸の少ない

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 681 Kバイト