サファイアr,S面ナノファセット基板上ZnTe成長核のS面選択的形成条件の探査

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-064

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Exploration of S-plane selective growth conditions for ZnTe growth nucleus on sapphire r,S-plane nanofacet substrates

著者名: 安藤達也（早稲田大学）,小林昇太郎（早稲田大学）,杉本昂大（早稲田大学）,坪井海人（早稲田大学）,細井菜々乃（早稲田大学）,坂本悠哉（早稲田大学）,小林正和（早稲田大学）

著者名(英語): Tatsuya Ando (School of Advanced Science and Engineering),Shotaro Kobayashi (School of Advanced Science and Engineering),Kota Sugimoto (School of Advanced Science and Engineering),Kaito Tsuboi (School of Advanced Science and Engineering),Nanano Hosoi (Sch

キーワード: 半導体|結晶成長|テルル化亜鉛|サファイア|ナノファセット構造|SEM|semiconductor|crystal growth|zinc telluride|sapphire|nano facet structure|scanning electron microscope

要約(日本語): テラヘルツ波検出素子への応用に向けてZnTe(110)/サファイア構造に注目している。S面方向に17.66°傾斜をつけたr.S面ナノファセット基板上に(111)配向のZnTe薄膜を作製することで上記構造の実現を目指している。今回S面バルク基板ではr面バルク基板に比べてバッファ層の脱離温度が高いことを利用し,成長初期段階であるアニール温度を高温にすることにより成長核のS面選択形成を試みた。また,Zn照射の導入によるバッファ層の脱離抑制も試みた。走査型電子顕微鏡(SEM)を用いることで成長核の観察を行

原稿種別: 日本語

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